Transphorm Inc - 設計和制造符合 JEDEC 和 AEC-Q101 標準的氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET),用于高壓功率轉換應用 - 表示功率半導體產(chǎn)品美國德克薩斯州普萊諾的供應商 Diodes Inc 推出了使用其 SuperGaN FET 的完整 130W USB Type-C 供電 (PD) 3.0 適配器評估和開(kāi)發(fā)套件。
該套件將 Diodes 的高性能有源鉗位反激 (ACF) 控制器與 Transphorm 的具有輸入功率因數校正 (PFC) 的專(zhuān)利常關(guān)型 SuperGaN Gen IV 器件配對。與增強型 GaN 和基于硅的系統相比,由此產(chǎn)生的解決方案提供了低待機功耗、更高效率、據稱(chēng)是前所未有的熱性能以及最優(yōu)的系統材料清單 (BOM) 成本。它超過(guò)了 DOE VI 和 COC Tier 2 能效要求,并允許提高功率密度。
Diodes 的 ACF 解決方案旨在利用配置中的下一代電源轉換技術(shù),在 USB PD 充電應用中提供比傳統反激系統更高的性能和顯著(zhù)低于半橋諧振 LLC 解決方案的成本。據估計,新的 130W ACF SuperGaN 套件也不例外,可以輕松快速地評估先進(jìn)技術(shù),同時(shí)加快上市時(shí)間。能力包括:高功率峰值效率(>93.5%);高功率因數(>0.90 超過(guò) 60% 負載);超低總諧波失真 (THD)(<18% over line over 60% load);低待機功率(<43mW);和最低開(kāi)關(guān)溫度(<75°C)。
該套件使用三個(gè)主要的 Diodes 控制器和兩個(gè) Transphorm 的 SuperGaN FET:
AP3306:高度集成的ACF控制器,專(zhuān)為超低待機功耗和高功率密度要求而設計,并具有全面的保護機制;
APR340:用于二次側同步整流的MOSFET驅動(dòng)器;
AP43771V:USB Type-C PD3.0 解碼器,具有開(kāi)/關(guān) N 溝道 MOSFET 控制和強大的保護功能;和
TP65H150G4LSG 器件:SuperGaN 650V、150mΩ FET,分別用于 PFC 控制和 ACF 控制級。
“Diodes 的 AP3306 ACF 控制器為 45W 至 140W 的各種電源適配器提供高集成度、低待機功耗、最佳系統成本和多功能保護,而我們的 AP43771V USB-PD 控制器提供 PPS 具有一個(gè)具有虛擬多Diodes 的 ACDC 電源與照明 (APL) 部門(mén)經(jīng)理 Ernest Lin 表示,該區域可用于定制,支持不同的快速充電器功率配置文件!癟ransphorm 的 SuperGaN 技術(shù)使我們能夠提供最高效率、最低器件溫度和最終高功率密度的適配器系統,該系統易于驅動(dòng),無(wú)需任何額外的驅動(dòng)器或復雜的接口,”他補充道。
“Diodes 是 USB-PD 適配器市場(chǎng)中多個(gè)控制器的創(chuàng )新者和供應商,其開(kāi)發(fā)套件是一個(gè)寶貴的機會(huì ),可幫助客戶(hù)快速實(shí)現 GaN 電源轉換為高性能筆記本電腦帶來(lái)的好處,”副總裁 Tushar Dhayagude 評論道。技術(shù)銷(xiāo)售和現場(chǎng)應用,Transphorm!斑m配器市場(chǎng)才剛剛開(kāi)始通過(guò)先進(jìn)的 ACF 拓撲實(shí)現功率和成本節約,因為我們看到更多大于 100W 的充電器進(jìn)入市場(chǎng),”他補充道!癟ransphorm 的 SuperGaN FET 結合了最高效率、簡(jiǎn)單的設計和可驅動(dòng)性以及市場(chǎng)上最強大和最高的柵極抗噪能力!
簡(jiǎn)單易用的 130W USB PD ACF 套件允許制造商快速定制和實(shí)施具有 USB-C、PPS 和多協(xié)議配置的 90W 至 150W 適配器設計。該套件現可根據 Diodes 的要求提供。
有關(guān)樣品、詳細規格、價(jià)格和交貨報價(jià)及更多信息,請聯(lián)系當地的Transphorm代理商進(jìn)行詢(xún)問(wèn)。
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