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                圖片信息
                TPH3206LDGB圖片
                基本技術(shù)信息:
              3. 電子器件型號:TPH3206LDGB
              4. 原始制造廠(chǎng)商:Transphorm
              5. 技術(shù)標準參數:GANFET N-CH 650V 16A PQFN
              6. 產(chǎn)品應用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
              7. 點(diǎn)擊此處下載TPH3206LDGB的原廠(chǎng)技術(shù)規格手冊Datasheet(PDF文件)
              8. 現貨供應,最快當日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
              9. 技術(shù)參數詳解:
              10. 制造商產(chǎn)品型號:TPH3206LDGB
              11. 制造商:Transphorm
              12. 描述:GANFET N-CH 650V 16A PQFN
              13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
              14. 產(chǎn)品系列:-
              15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
              16. FET類(lèi)型:N 通道
              17. 技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
              18. 漏源電壓(Vdss):650V
              19. 25°C時(shí)電流-連續漏極(Id):16A(Tc)
              20. 驅動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
              21. 不同Id、Vgs時(shí)導通電阻(最大值):180 毫歐 @ 11A,8V
              22. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.6V @ 500μA
              23. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):9.3nC @ 4.5V
              24. Vgs(最大值):±18V
              25. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 480V
              26. FET功能:-
              27. 功率耗散(最大值):81W(Tc)
              28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
              29. 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
              30. 器件封裝:PQFN(8x8)
              31. TPH3206LDGB均從Transphorm代理或經(jīng)過(guò)認證的可靠渠道采購,長(cháng)期充足現貨,確保原裝正品!
              32. 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應商
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