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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：UPA2813T1L-E1-AT

原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：UPA2813T1L-E1-AT

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：27A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.2 毫歐 @ 27A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 10V

Vgs（最大值）：-

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3130pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），52W（Tc）

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-HVSON（3x3.3）

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