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圖片信息
SGS10N60RUFDTU圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SGS10N60RUFDTU
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數(shù):IGBT 600V 16A TO220F
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載SGS10N60RUFDTU的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SGS10N60RUFDTU
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 16A TO220F
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):最後搶購
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):16A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):30A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:55W
  • 開關能量:141μJ(開),215μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:30nC
  • 25°C時Td(開/關)值:15ns/36ns
  • 測試條件:300V,10A,20 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):60ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-3 整包
  • SGS10N60RUFDTU均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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