深圳市南皇電子有限公司長期提供APTGT35H120T1G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APTGT35H120T1G

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APTGT35H120T1G

制造商：Microsemi Corporation

描述：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：溝槽型場截止

配置：全橋反相器

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：55A

功率-最大值：208W

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，35A

電流-集電極截止（最大值）：250μA

不同?Vce時輸入電容(Cies)：2.5nF @ 25V

輸入：標準

NTC熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP1

APTGT35H120T1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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