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圖片信息
IS43DR16640B-3DBLI-TR圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IS43DR16640B-3DBLI-TR
  • 原始制造廠商:ISSI
  • 技術標準參數(shù):IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
  • 產(chǎn)品應用分類:存儲器
  • 點擊此處下載IS43DR16640B-3DBLI-TR的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IS43DR16640B-3DBLI-TR
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):不適用於新設計
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:DRAM
  • 技術:SDRAM - DDR2
  • 存儲容量:1Gb(64M x 16)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時鐘頻率:333MHz
  • 寫周期時間-字,頁:15ns
  • 訪問時間:450ps
  • 電壓-供電:1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:84-TFBGA
  • IS43DR16640B-3DBLI-TR均從ISSI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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