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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：ALD111933SAL

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：ALD111933SAL

制造商：Advanced Linear Devices Inc.

描述：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：EPAD?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）配對

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：10.6V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：-

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：500 歐姆 @ 5.9V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.35V @ 1μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2.5pF @ 5V

功率-最大值：500mW

工作溫度：0°C ~ 70°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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